几种常用的MOS管参数、应用电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF9540
1. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)， 漏极（Drain—D）
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 33A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 44mΩ @ 16A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 130W |
| 类型 | N沟道 |
IRF540N（NMOS管）应用电路
MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。说白了，给箭头方向相反的压降就是导通，方向相同就是截止
可以在单片机和栅极之间加一个1k的电阻，起到限流作用；
此外，可以栅极和源极之间加一个10k的电阻，一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S
参考 https://www.cnblogs.com/byxzwz/p/10265739.html
2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
| 漏源电压（Vdss） | -100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 23A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 117mΩ @ 11A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 140W |
| 类型 | P沟道 |
IRF9540N（PMOS管）应用电路
3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A
跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。
| 漏源电压（Vdss） | -100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 19A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 200mΩ @ 11A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150W(Tc) |
| 类型 | P沟道 |