调试经验

总结下最近处理的一些典型问题

1低压峰实验：

问题a导致黑屏

手顺：触发限流后，电源会给一个低压峰出来，很快恢复正常电压。

 触发限流，soc掉电 mcu没有复位。开始计时35s的心跳超时。

mcu没有复位的原因：lvi低电平由一个小ic给出，有概率无法输出lvi低电平（绿色）此时如果soc的3.3v电（黄色）也不正常了，没抗住，就会黑屏开始等心跳复位。

问题b导致黑屏无法启动

在debug版本下（不接can唤醒）

通过低压峰的方式触发lvi导致mcu无法唤醒。

一开始以为是mcu卡死无法启动的原因，后检测 lvi以及mcu3.3v供电都正常。

排查软件逻辑发现，低压lvi后恢复lvi会再触发一次恢复中断，再调一次清除唤醒源的操作。

导致最后休眠时走了 设为can唤醒的唤醒源。属于唤醒源设置错误

2 mcu3.3v供电ic会出现 正弦波 

导致供电不稳，导致异常复位。走的是上电启动。

3 刷机复位问题

A在app中，如果编译器版本不对会导致各种未知问题。

例如：刷写flash过程中，需要将部分代码copy到ram中去，

用ram去擦写rom，（为什么要这样做？因为core0 需要进行任务调度切换，rom中的代码还需要继续运行，使用fcl的 user模式的话，代码要copy到ram中去，internel模式可以运行rom擦rom

开始擦写前，需要将flash 进入 PEMODE（program/erase），然后运行ram的代码。

如果此时read rom的话（运行代码段里的问题），就会产生eccerror，然后复位。

非法访问rom原因：

代码在ram中执行，编译器不同的话，通用寄存器未存储上相对地址，导致pc指针中的下一步范围地址未跳转正确，访问了已经处于PEmode的flash，就会复位。

（flash置起PEmode类似于 FLMD的打开（保护寄存器要置A5 101的方式) .具体时序参考手册。

B刷机过程中，由于时序问题，导致未关中断可能会影响到flash权限的交换。（刷写时flash权限需交给另一个核，刷写完交回权限）

hsm收回flash权限后，开始处理app的报文校验会访问flash，但是此时还处于PEmode，导致复位。详见时序图